?二二次次元元材材料料とと三三次次元元材材料料のの融融合合にによよるる新新たたなな価価値値のの創創出出電?情報Ap( tnerruC)senoJ/2 401x( ytiiti 1101x( ytivitceteD( ytiWAmmcsneSsnopseR)013)/vi043 210)W8 v40パソコンやスマートフォン等の電気電子機器は目に見えないほどの小さな素子から成り立っていますが、高性能化のために小型化や新たな材料を用いられてきています。また近年では、それらの進化し続ける性能に加えてライフサイエンスなど異分野でも利用できる新しい付加価値を与える必要性が高まってきています。このような背景から当188bet体育_188bet备用网址室では、特に層状物質という特異な性質を示す電子材料により、①新たな現象がみられる電子材料の発見とその応用に加えて、②電気電子工学に関連する物理性質を複数融合することにより新しい素子の提案と実証を目指しています。層状物質は物理的性質に注目が集まる一方で、素子応用の検討例が少なく大きな可能性がまだまだ眠っています。当188bet体育_188bet备用网址室では、新規材料の創成と素子の設計製作の両者から、これまでの常識を打ち破る革新的な電気電子素子の実現に挑みます。本188bet体育_188bet备用网址室では、材料やそれから成る素子について総合的に知る必要があります。また実験装置を自らが動作させ、維持管理を行います。それらの経験は、電機メーカーを筆頭にインフラや188bet体育_188bet备用网址機関などにおいて、幅広く活躍できる技術者になるために活きていきます。准教授浦上法之188bet体育_188bet备用网址キーワード188bet体育_188bet备用网址から広がる未来188bet体育_188bet备用网址シーズ共同188bet体育_188bet备用网址?外部資?獲得実績単結晶薄膜?窒化炭素??次元材料(層状物質)卒業後の未来像最近の188bet体育_188bet备用网址トピックス【【私私のの学学問問へへののききっっかかけけ】】中学生の頃に電化製品が作りたいと思い軽い気持ちで高専に進学しましたが、19歳の頃に実験で光る半導体に出会いました。原理や理屈は難しいですがそれが興味に変わり、深く知ってみたいと考え大学へ編入し、運よくその研室を続けてきました。現在では、半導体だけでなく理解が難しい現象を示す材料にも興味が移り、革新的な素子の開発を目指すようになりました。47806040200-20-40-60-80 Vg: -8 V Vg: -3 V Vg: 0V Vg: 3V-3-1-22In-plane Voltage (V)600500400300200100123456789Device number365 nm 385 nm 395 nm 460 nm 520 nm590 nm600 nm 620 nm122015年3月豊橋技術科学大学大学院工学188bet体育_188bet备用网址科修了博士(工学)取得信州大学工学部助教を経て2024年4月より現職専門の188bet体育_188bet备用网址分野?電気?電子材料工学(材料探索と素子応用)?結晶工学(結晶作り)?炭炭素素系系化化合合物物半半導導体体のの創創成成とと電電子子素素子子へへのの展展開開(層状窒化炭素膜のキャリア輸送制御と電気電子素子応用)(異種元素添加による物性制御)(構成元素に金属元素を用いない室温強磁性半導体の創出)?二二次次元元材材料料にによよるる電電子子素素子子のの開開発発(次世代構造電界効果トランジスタ)(Siフォトダイオードの高性能化と集積化技術)(円偏光を放射可能なマイクロLED)?環環境境発発電電をを利利用用ししたた微微小小電電源源のの開開発発(自発分極が誘起する異常光起電力効果と圧電効果)科科研研費費((代代表表))?22002211--22002233年年若若手手研188bet体育_188bet备用网址究「22001199--22002200年年若若手手研188bet体育_188bet备用网址究助助成成金金((代代表表))?22002244年年44月月--22002255年年33月月公公益益財財団団法法人人豊豊田田理理化化学学研188bet体育_188bet备用网址究所所「層状窒化炭素薄膜における室温強磁性の発現」?22002244年年44月月--22002255年年33月月公公益益財財団団法法人人中中部部電電気気利利用用基基礎礎研188bet体育_188bet备用网址究振振興興財財団団「ノーマリーオフ動作二次元チャネル電子素子の開発」?22002233年年1100月月--22002244年年99月月公公益益財財団団法法人人村村田田学学術術振振興興財財団団「新規p型二次元チャネル材料による次世代電界効果トランジスタの設計と実証」?22002233年年44月月--22002244年年33月月公公益益財財団団法法人人池池谷谷科科学学技技術術振振興興財財団団?22002222年年1122月月--22002233年年1111月月公公益益財財団団法法人人カカシシオオ科科学学振振興興財財団団そそのの他他、、研188bet体育_188bet备用网址究助助成成88件件、、海海外外渡渡航航助助成成33件件ををごご支支援援頂頂いいてていいるる。。グラファイト状窒化炭素膜の抵抗異方性を発見した。また電界効果素子を作製し、面内方向電流のスイッチングを実現した。可視光域における光検出材料として有望な層状GaSeの加工手法を開発し、個体差の小さいアレイを作製することに成功した。左上:層状物質の二硫化モリブデン(MoS2)結晶。右上:機械的剥離により作製した単層MoS2膜(厚さ0.6nm)。左下:MoS2膜をチャネルとした電界効果トランジスタ(FET)。電極以外二次元材料で構成。右下:MoS2FETの伝達特性。低コストで簡易に作製可能な半導体のグラファイト状窒化炭素膜。ホウ素添加によりその発光波長を紫外線側へ変化。可視光側への制御も検討中システム?学科特異な性質を?す新材料探索と素?への展開電気電??学の新たな基盤技術を開拓
元のページ ../index.html#49