CVDダイヤモンド合成装置

システム構成 | 触媒形成用MBE、観察用高真空STM、CVD | |
---|---|---|
基材搬送 | 高真空下半自動 | |
MBE | ソース4種(Feなど) | |
CVD最高温度 | ~1000℃ | |
STM | 原子像観察可 |
この装置は先行事業ナノテクノロジープラットフォーム事業にて導入された設備であり、合成支援においてご利用いただける機材です。3種の機能(MBE、CVD、STM)を同じ真空容器の中に収納し、同一試料に対して数段階の連続処理を行うことができます。MBE装置は本来半導体材料などの単結晶を育成するものですが、現在はFe、Cu、Niのソースが充填されており、極薄の金属膜を形成することができます。CVDではメタンなどの反応が可能で、グラフェンなどの成長ができます。STM はグラフェン膜などの観察に加え、一般的な超高真空STMが必要な用途にご利用いただけます。
※合成支援で利用可